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APTGF150X60E3G

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  • APTGF150X60E3G
    APTGF150X60E3G

    APTGF150X60E3G

  • 深圳市中平科技有限公司
    深圳市中平科技有限公司

    聯系人:賴先生

    電話:0755-8394638513632637322

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號

    資質:營業執照

  • 170

  • APT

  • 150A/600V/IGBT/6U

  • 2024+

  • -
  • 全新現貨價格優勢

  • 1/1頁 40條/頁 共4條 
  • 1
APTGF150X60E3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 制造商
  • Microsemi Corporation
  • 功能描述
  • POWER IGBT TRANSISTOR
APTGF150X60E3G 技術參數
  • APTGF150SK120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF150H120G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGF150DU120TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙,共源 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF150DH120G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 200A 961W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGF150DA120TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 1200V 200A 961W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200A 功率 - 最大值:961W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):3.7V @ 15V,150A 電流 - 集電極截止(最大值):350μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):10.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF180DH60G APTGF180DU60TG APTGF180H60G APTGF180SK60TG APTGF200A120D3G APTGF200DA120D3G APTGF200SK120D3G APTGF200U120DG APTGF250A60D3G APTGF250DA60D3G APTGF250SK60D3G APTGF25A120T1G APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G APTGF25X120T3G
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