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APTGF180H60G

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGF180H60G
    APTGF180H60G

    APTGF180H60G

  • 標準國際(香港)有限公司
    標準國際(香港)有限公司

    聯系人：朱小姐

    電話：83617149

    地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質：營業執照

  • 14

  • MICROSEMI

  • 2014+

  • -

  • 公司現貨!只做原裝!

  • APTGF180H60G
    APTGF180H60G

    APTGF180H60G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優勢產品

  • APTGF180H60G
    APTGF180H60G

    APTGF180H60G

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • APTGF180H60G
    APTGF180H60G

    APTGF180H60G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共18條 
  • 1
APTGF180H60G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP6
  • RoHS
  • 是
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce（開）
  • 1.4V @ 15V，100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大）
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止（最大）
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 無
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4，miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGF180H60G 技術參數
  • APTGF180DU60TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙，共源 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF180DH60G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 220A 833W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGF180DA60TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF180A60TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF165SK60D1G 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 230A 730W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:NPT 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:230A 功率 - 最大值:730W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:500μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G APTGF25X120T3G APTGF300A120D3G APTGF300A120G APTGF300DA120D3G APTGF300DA120G APTGF300DU120G APTGF300SK120D3G APTGF300SK120G APTGF300U120DG APTGF30A60T1G APTGF30H60T1G APTGF30H60T3G APTGF30TL601G
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