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APTGF180SK60D3G

配單專家企業(yè)名單

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封裝
批號
價格
說明
操作

APTGF180SK60D3G
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。
98653
原廠
MODULE
最新批號
-
代理此型號，原裝正品現貨！！

APTGF180SK60D3G
深圳市科思奇電子科技有限公司
深圳市科思奇電子科技有限公司
聯系人：林小姐/歐陽先生
電話：0755-832450508278593918923762408微信同號
地址：深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟1109-1110室
資質：營業(yè)執(zhí)照
6000
APT
原廠原裝
23+
-
只做原裝正品

APTGF180SK60D3G
深圳市中平科技有限公司
深圳市中平科技有限公司
聯系人：賴先生
電話：0755-8394638513632637322
地址：深圳市福田區(qū)深南中路2070號電子科技大廈A座27樓2702號
資質：營業(yè)執(zhí)照
170
APT
180A/600V/IGBT+DIODE
2024+
-
全新現貨價格優(yōu)勢

1/1頁 40條/頁共7條
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APTGF180SK60D3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGF180SK60D3G PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER IGBT TRANSISTOR

APTGF180SK60D3G 技術參數

APTGF180H60G 功能描述:IGBT Module NPT Full Bridge Inverter 600V 220A 833W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:全橋反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGF180DU60TG 功能描述:IGBT Module NPT Dual, Common Source 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙，共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF180DH60G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 220A 833W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGF180DA60TG 功能描述:IGBT Module NPT Single 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:單一電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF180A60TG 功能描述:IGBT Module NPT Half Bridge 600V 220A 833W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態(tài):Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:半橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:220A 功率 - 最大值:833W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.5V @ 15V，180A 電流 - 集電極截止（最大值）:300μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:8.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF25DDA120T3G APTGF25DSK120T3G APTGF25H120T1G APTGF25H120T2G APTGF25H120T3G APTGF25X120T3G APTGF300A120D3G APTGF300A120G APTGF300DA120D3G APTGF300DA120G APTGF300DU120G APTGF300SK120D3G APTGF300SK120G APTGF300U120DG APTGF30A60T1G APTGF30H60T1G APTGF30H60T3G APTGF30TL601G