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APTGF50DSK120T3G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGF50DSK120T3G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優勢產品

APTGF50DSK120T3G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APTGF50DSK120T3G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

1/1頁 40條/頁共12條
1

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APTGF50DSK120T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGF50DSK120T3G PDF下載

制造商
Microsemi Corporation
功能描述
POWER MODULE - IGBT - Bulk
制造商
Microsemi Corporation
功能描述
MOD IGBT NPT 1200V 70A SP3

APTGF50DSK120T3G 技術參數

APTGF50DH60TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50DH60T1G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 600V 65A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGF50DH120TG 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGF50DH120T3G 功能描述:IGBT Module NPT Asymmetrical Bridge 1200V 70A 312W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:3.7V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.45nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF50DDA60T3G 功能描述:IGBT Module NPT Dual Boost Chopper 600V 65A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:Not For New Designs IGBT 類型:NPT 配置:雙路升壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.45V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:2.2nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGF50TDU120PG APTGF50TL60T3G APTGF50VDA120T3G APTGF50VDA60T3G APTGF50X60T3G APTGF530U120D4G APTGF660U60D4G APTGF75DA120T1G APTGF75DA60D1G APTGF75DDA120TG APTGF75DH120TG APTGF75DSK120TG APTGF75H120TG APTGF75SK60D1G APTGF90A60D1G APTGF90A60T1G APTGF90A60TG APTGF90DA60D1G