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APTGT200H60

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGT200H60G
    APTGT200H60G

    APTGT200H60G

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人：朱先生

    電話：0755-82999903

    地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -

  • 瑞智芯 只有原裝

  • APTGT200H60G
    APTGT200H60G

    APTGT200H60G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人：張小姐/Vivianvi

    電話：0755-83286481

    地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -

  • 微芯專營優勢產品

  • APTGT200H60
    APTGT200H60

    APTGT200H60

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • S108X62-12L

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • APTGT200H60G
    APTGT200H60G

    APTGT200H60G

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Full - Bridge Trench + Field Stop IGBT Power Module
APTGT200H60 技術參數
  • APTGT200H120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:全橋反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT200DU60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 600V 290A 625W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙，共源 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT200DU120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual, Common Source 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:雙，共源 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT200DH60G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 290A 625W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:290A 功率 - 最大值:625W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12.3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT200DH120G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:非對稱橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:280A 功率 - 最大值:890W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:350μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:14nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTGT20DSK60T3G APTGT20H60T1G APTGT20H60T3G APTGT20TL601G APTGT20X60T3G APTGT225A170G APTGT225DA170G APTGT225DU170G APTGT225SK170G APTGT25A120D1G APTGT25A120T1G APTGT25DA120D1G APTGT25H120T1G APTGT25SK120D1G APTGT25X120T3G APTGT300A120D3G APTGT300A120G APTGT300A170D3G
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