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APTGT50DSK60T3G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT50DSK60T3G
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
5000
MICROSEMI
1521+
-
全新原裝現貨

APTGT50DSK60T3G
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
深圳市鴻昌盛電子科技有限公司銷售一部
聯系人：朱小姐
電話：13428937514
地址：深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813
資質：營業執照
2360
Microsemi
模塊
14+
-
全新原裝現貨，

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1

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APTGT50DSK60T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

APTGT50DSK60T3G PDF下載

功能描述
IGBT MOD TRENCH DL BUCK CHOP SP3
RoHS
是
類別
半導體模塊 >> IGBT
系列
-
標準包裝
10
系列
GenX3™
IGBT 類型
PT
配置
單一
電壓 - 集電極發射極擊穿（最大）
600V
Vge, Ic時的最大Vce（開）
1.4V @ 15V，100A
電流 - 集電極 (Ic)（最大）
430A
電流 - 集電極截止（最大）
100µA
Vce 時的輸入電容 (Cies)
31nF @ 25V
功率 - 最大
1000W
輸入
標準
NTC 熱敏電阻
無
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
SOT-227-4，miniBLOC
供應商設備封裝
SOT-227B

APTGT50DSK60T3G 技術參數

APTGT50DSK120T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Dual Buck Chopper 1200V 75A 270W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:雙路降壓斬波器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:270W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT50DH60TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 600V 80A 176W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:停產 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT50DH60T1G 功能描述:MOD IGBT 600V 80A SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT50DH170TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1700V 75A 312W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:312W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT50DH120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Asymmetrical Bridge 1200V 75A 277W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:非對稱橋電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1200V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:75A 功率 - 最大值:277W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.1V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT50SK120TG APTGT50SK170D1G APTGT50SK170T1G APTGT50SK170TG APTGT50TA170PG APTGT50TA60PG APTGT50TDU170PG APTGT50TDU60PG APTGT50TL601G APTGT50TL60T3G APTGT50X60T3G APTGT580U60D4G APTGT600A60G APTGT600DA60G APTGT600DU60G APTGT600SK60G APTGT600U120D4G APTGT600U170D4G