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APTGT50TL60T3G

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

APTGT50TL60T3G
深圳市思諾康科技有限公司
深圳市思諾康科技有限公司
聯系人：張小姐/Vivianvi
電話：0755-83286481
地址：坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心（A塔）1棟一單元1602
9900
Microchip Technology
SP3
23+
-
微芯專營優勢產品

APTGT50TL60T3G
深圳市瑞智芯科技有限公司
深圳市瑞智芯科技有限公司
聯系人：朱先生
電話：0755-82999903
地址：深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3
1000
MICROCHIP
18+
-
瑞智芯只有原裝

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1

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制造商
MICROSEMI
制造商全稱
Microsemi Corporation
功能描述
Three level inverter Trench + Field Stop IGBT Power Module

APTGT50TL60T3G 技術參數

APTGT50TL601G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 80A 176W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:三級反相器電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT50TDU60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 600V 80A 176W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:三，雙 - 共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGT50TDU170PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Triple, Dual - Common Source 1700V 70A 310W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:三，雙 - 共源電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:310W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGT50TA60PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 600V 80A 176W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:三相電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80A 功率 - 最大值:176W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.9V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3.15nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGT50TA170PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1700V 70A 310W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止配置:三相電壓 - 集射極擊穿（最大值）:1700V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70A 功率 - 最大值:310W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:250μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:4.4nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無安裝類型:底座安裝封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGT75A1202G APTGT75A120D1G APTGT75A120T1G APTGT75A120TG APTGT75A170D1G APTGT75A60T1G APTGT75DA120D1G APTGT75DA120T1G APTGT75DA120TG APTGT75DA170D1G APTGT75DA170T1G APTGT75DA60T1G APTGT75DDA60T3G APTGT75DH120T3G APTGT75DH120TG APTGT75DH60T1G APTGT75DH60TG APTGT75DSK60T3G