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APTGT75TA60PG

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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
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  • APTGT75TA60PG
    APTGT75TA60PG

    APTGT75TA60PG

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • MICROSEMI

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共11條 
  • 1
APTGT75TA60PG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • IGBT MOD TRENCH 3PHASE LEG SP6-P
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> IGBT
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • GenX3™
  • IGBT 類型
  • PT
  • 配置
  • 單一
  • 電壓 - 集電極發射極擊穿(最大)
  • 600V
  • Vge, Ic時的最大Vce(開)
  • 1.4V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大)
  • 430A
  • 電流 - 集電極截止(最大)
  • 100µA
  • Vce 時的輸入電容 (Cies)
  • 31nF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 1000W
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • SOT-227-4,miniBLOC
  • 供應商設備封裝
  • SOT-227B
APTGT75TA60PG 技術參數
  • APTGT75TA120PG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase 1200V 100A 350W Chassis Mount SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三相 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:350W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGT75SK60T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 600V 100A 250W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75SK170D1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1700V 120A 520W Chassis Mount D1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1700V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):120A 功率 - 最大值:520W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.4V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):5mA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6.5nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:無 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:D1 供應商器件封裝:D1 標準包裝:1 APTGT75SK120TG 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTGT75SK120T1G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 110A 357W Chassis Mount SP1 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:過期 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:單一 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):110A 功率 - 最大值:357W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.1V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):5.34nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGTQ150TA65TPG APTGTQ200A65T3G APTGTQ200DA65T3G APTGTQ200SK65T3G APTGTQ50TA65T3G APTGV100H60BTPG APTGV100H60T3G APTGV15H120T3G APTGV25H120BG APTGV25H120T3G APTGV30H60T3G APTGV50H120BTPG APTGV50H120T3G APTGV50H60BG APTGV50H60T3G APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ APTH003A0X-SR
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