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APTGTQ100H65T3G

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTGTQ100H65T3G
    APTGTQ100H65T3G

    APTGTQ100H65T3G

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • Module

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
APTGTQ100H65T3G PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • POWER MODULE - IGBT
  • 制造商
  • microsemi corporation
  • 系列
  • -
  • 零件狀態
  • 在售
  • IGBT 類型
  • -
  • 配置
  • 全橋
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)
  • 650V
  • 電流 - 集電極(Ic)(最大值)
  • 100A
  • 功率 - 最大值
  • 250W
  • 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on)
  • 2.2V @ 15V,100A
  • 電流 - 集電極截止(最大值)
  • 100μA
  • 不同?Vce 時的輸入電容(Cies)
  • 6nF @ 25V
  • 輸入
  • 標準
  • NTC 熱敏電阻
  • 工作溫度
  • -40°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型
  • 底座安裝
  • 封裝/外殼
  • 模塊
  • 供應商器件封裝
  • SP3F
  • 標準包裝
  • 1
APTGTQ100H65T3G 技術參數
  • APTGTQ100DDA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:雙路升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.2V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ100DA65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.2V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGTQ100A65T1G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿(最大值):650V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):2.2V @ 15V,100A 電流 - 集電極截止(最大值):100μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):6nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:1 APTGT75X60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGT75TL60T3G 功能描述:IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 600V 100A 250W Chassis Mount SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止 配置:三級反相器 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100A 功率 - 最大值:250W 不同?Vge,Ic 時的?Vce(on):1.9V @ 15V,75A 電流 - 集電極截止(最大值):250μA 不同?Vce 時的輸入電容(Cies):4.62nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTGV25H120BG APTGV25H120T3G APTGV30H60T3G APTGV50H120BTPG APTGV50H120T3G APTGV50H60BG APTGV50H60T3G APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ
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