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APTGU180DA120

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APTGU180DA120 技術參數
  • APTGTQ50TA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50A 功率 - 最大值:125W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，50A 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:3nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ200SK65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:降壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ200DA65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:升壓斬波器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ200A65T3G 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:半橋 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200A 功率 - 最大值:483W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，200A 電流 - 集電極截止（最大值）:200μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:12nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP3F 標準包裝:1 APTGTQ150TA65TPG 功能描述:POWER MODULE - IGBT 制造商:microsemi corporation 系列:- 零件狀態:在售 IGBT 類型:- 配置:三相反相器 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:650V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150A 功率 - 最大值:365W 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.2V @ 15V，150A 電流 - 集電極截止（最大值）:150μA 不同?Vce 時的輸入電容（Cies）:9nF @ 25V 輸入:標準 NTC 熱敏電阻:是 工作溫度:-40°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:模塊 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTGV50H60T3G APTGV75H60T3G APTH003A0X4-SRZ APTH003A0X-SR APTH003A0X-SRZ APTH006A0X4-SR APTH006A0X4-SRZ APTH006A0X-SR APTH006A0X-SRZ APTH012A0X3-SRZ APTH012A0X43-SRZ APTH020A0X3-SRZ APTH020A0X43-SRZ APTJC120AM13VCT1AG APTJC120AM25VCT1AG APTK2012RWC/Z-F01 APTL3216CGCK APTL3216PBC/A
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