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APTM10DDAM19T3

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  • APTM10DDAM19T3
    APTM10DDAM19T3

    APTM10DDAM19T3

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • E73X40-32L

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共8條 
  • 1
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  • 制造商
  • ADPOW
  • 制造商全稱
  • Advanced Power Technology
  • 功能描述
  • Dual Boost chopper MOSFET Power Module
APTM10DDAM19T3 技術參數
  • APTM10DDAM09T3G 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 139A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道(雙) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):139A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 69.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM10DAM05TG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):278A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 125A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):700nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM10DAM02G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):495A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 200A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1360nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10AM05FTG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):278A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 125A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):700nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM10AM02FG 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(半橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):495A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 200A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1360nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10HM09FTG APTM10HM19FT3G APTM10SKM02G APTM10SKM05TG APTM10TAM09FPG APTM10TAM19FPG APTM10TDUM09PG APTM10TDUM19PG APTM10UM01FAG APTM10UM02FAG APTM120A15FG APTM120A20DG APTM120A20SG APTM120A29FTG APTM120A65FT1G APTM120A80FT1G APTM120DA15G APTM120DA29TG
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