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APTM10TAM19FPG

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  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • APTM10TAM19FPG
    APTM10TAM19FPG

    APTM10TAM19FPG

  • 深圳市思諾康科技有限公司
    深圳市思諾康科技有限公司

    聯系人:張小姐/Vivianvi

    電話:0755-83286481

    地址:坂田街道東坡路3號萬致天地商業中心(A塔)1棟一單元1602

  • 9900

  • Microchip Technology

  • SP6

  • 23+

  • -
  • 微芯專營優勢產品

  • APTM10TAM19FPG
    APTM10TAM19FPG

    APTM10TAM19FPG

  • 深圳市瑞智芯科技有限公司
    深圳市瑞智芯科技有限公司

    聯系人:朱先生

    電話:0755-82999903

    地址:深圳市福田區中航路42號中航北苑大廈C座6C3

  • 1000

  • MICROCHIP

  • 18+

  • -
  • 瑞智芯 只有原裝

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
APTM10TAM19FPG PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET MOD TRPL PHASE LEG SP6-P
  • RoHS
  • 類別
  • 半導體模塊 >> FET
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 10
  • 系列
  • *
APTM10TAM19FPG 技術參數
  • APTM10TAM09FPG 功能描述:MOSFET 6N-CH 100V 139A SP6-P 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):139A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 69.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6-P 標準包裝:1 APTM10SKM05TG 功能描述:MOSFET N-CH 100V 278A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):278A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5 毫歐 @ 125A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):700nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):20000pF @ 25V 功率 - 最大值:780W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM10SKM02G 功能描述:MOSFET N-CH 100V 495A SP6 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):495A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 200A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 10mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):1360nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):40000pF @ 25V 功率 - 最大值:1250W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:1 APTM10HM19FT3G 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 70A SP3 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):70A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):21 毫歐 @ 35A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):200nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5100pF @ 25V 功率 - 最大值:208W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:1 APTM10HM09FTG 功能描述:MOSFET 4N-CH 100V 139A SP4 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:過期 FET 類型:4 個 N 通道(H 橋) FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):100V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):139A 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 69.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 2.5mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):350nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9875pF @ 25V 功率 - 最大值:390W 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP4 供應商器件封裝:SP4 標準包裝:1 APTM120A80FT1G APTM120DA15G APTM120DA29TG APTM120DA30CT1G APTM120DA30T1G APTM120DA56T1G APTM120DA68T1G APTM120DDA57T3G APTM120DSK57T3G APTM120DU15G APTM120DU29TG APTM120H140FT1G APTM120H29FG APTM120H57FT3G APTM120H57FTG APTM120SK15G APTM120SK29TG APTM120SK56T1G
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