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APU6006L

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  • APU6006L
    APU6006L

    APU6006L

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人:張小姐

    電話:15961889150

    地址:江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質:營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • TO-247-3

  • 25+

  • -
  • 國產品牌,替代進口

  • 1/1頁 40條/頁 共40條 
  • 1
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APU6006L 技術參數
  • APU11-108 (EU-Y) 功能描述:Y-TYPE POWER ADAPTOR -40-70C 100 制造商:atop technologies 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 APU10-108 (US-Y) 功能描述:Y-TYPE POWER ADAPTOR -40-70C 100 制造商:atop technologies 系列:* 零件狀態:在售 標準包裝:1 APTSM120TAM33CTPAG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:6 N-溝道(3 相橋) FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):112A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):33 毫歐 @ 60A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 3mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):408nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):7680pF @ 1000V 功率 - 最大值:714W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP6 供應商器件封裝:SP6 標準包裝:10 APTSM120AM55CT1AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(雙),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):74A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):50 毫歐 @ 40A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 2mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):272nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5120pF @ 1000V 功率 - 最大值:470W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP1 供應商器件封裝:SP1 標準包裝:10 APTSM120AM25CT3AG 功能描述:POWER MODULE - SIC 制造商:microsemi corporation 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 通道(雙),肖特基 FET 功能:碳化硅 (SiC) 漏源極電壓(Vdss):1200V(1.2kV) 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):148A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 80A,20V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 4mA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):544nC @ 20V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):10200pF @ 1000V 功率 - 最大值:937W 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:底座安裝 封裝/外殼:SP3 供應商器件封裝:SP3 標準包裝:10 AP-UM001GR23CS-2T AP-UM001GR31CG-2MSNRT AP-UM001GR31CG-2MST AP-UM001GR40CG-2NRT AP-UM001GR40CG-2T AP-UM001GT13ES-2MHNRT AP-UM001GT13ES-2MHT AP-UM001GT13ES-2MSNRT AP-UM001GT13ES-2MST AP-UM001GT13ES-2NRT AP-UM001GT13ES-2T AP-UM001GT23ES-2NRT AP-UM001GT23ES-2T AP-UM001GT31EG-2MSNRT AP-UM001GT31EG-2MST AP-UM001GT40EG-2NRT AP-UM001GT40EG-2T AP-UM002GAU0CS-2T
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