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ATP108-TL-H

配單專家企業名單
  • 型號
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  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • ATP108-TL-H
    ATP108-TL-H

    ATP108-TL-H

  • 深圳市海天鴻電子科技有限公司
    深圳市海天鴻電子科技有限公司

    聯系人:彭小姐、劉先生、李小姐

    電話:0755-82552857-80913528851884(周日專線)

    地址:深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號

    資質:營業執照

  • 7500

  • ON

  • 原廠原裝

  • 1716+

  • -
  • 只做原裝 一手貨源,代理商分銷庫存

  • ATP108-TL-H
    ATP108-TL-H

    ATP108-TL-H

  • 深圳市源運電子商行
    深圳市源運電子商行

    聯系人:林先生

    電話:15913992480

    地址:深圳市龍崗區板田街道荔園新村55棟1樓

  • 525

  • ON

  • 16+

  • -
  • ATP108-TL-H
    ATP108-TL-H

    ATP108-TL-H

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • ONSemicon

  • 原廠封裝

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • ATP108-TL-H
    ATP108-TL-H

    ATP108-TL-H

  • 北京元坤偉業科技有限公司
    北京元坤偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室

    資質:營業執照

  • 6000

  • ON

  • TO-252

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • ATP108-TL-H
    ATP108-TL-H

    ATP108-TL-H

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 10535

  • ON SEMICO

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

ATP108-TL-H PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
  • RoHS
  • 類別
  • 分離式半導體產品 >> FET - 單
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 1,000
  • 系列
  • MESH OVERLAY™
  • FET 型
  • MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點
  • 邏輯電平門
  • 漏極至源極電壓(Vdss)
  • 200V
  • 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
  • 18A
  • 開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
  • 180 毫歐 @ 9A,10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)
  • 4V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs
  • 72nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds
  • 1560pF @ 25V
  • 功率 - 最大
  • 40W
  • 安裝類型
  • 通孔
  • 封裝/外殼
  • TO-220-3 整包
  • 供應商設備封裝
  • TO-220FP
  • 包裝
  • 管件
ATP108-TL-H 技術參數
  • ATP107-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):50A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):17 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP106-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):30A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):25 毫歐 @ 15A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1380pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP104-TL-HX 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Ta) 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):76nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):3950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散(最大值):60W(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.4 毫歐 @ 38A,10V 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:ATPAK 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 標準包裝:3,000 ATP104-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:無貨 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):75A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.4 毫歐 @ 38A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):76nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3950pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP103-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 55A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,4.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):55A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):13 毫歐 @ 28A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):- 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2430pF @ 10V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:ATPAK(2 引線 + 接片) 供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP207-S-TL-H ATP207-TL-H ATP208-TL-H ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT
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