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ATP112-TL-H

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價格
說明
操作

ATP112-TL-H
深圳市億聯芯電子科技有限公司
深圳市億聯芯電子科技有限公司
聯系人：吳經理
電話：18138401919
地址：深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31
69880
ON
SMD
2021+
-
★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

ATP112-TL-H
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業執照
7500
ON
原廠原裝
1728+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

ATP112-TL-H
深圳市源運電子商行
深圳市源運電子商行
聯系人：林先生
電話：15913992480
地址：深圳市龍崗區板田街道荔園新村55棟1樓
2880
ON
16+
-

ATP112-TL-H
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
67500
ON
TO-252
13+
-
全新原裝現貨

ATP112-TL-H
北京京華特科技有限公司
北京京華特科技有限公司
聯系人：張小姐/韓先生
電話：010-86398446-8061581080972213911315253
地址：北京市朝陽區建國門外大街9號樓603室
2520
ON Semiconductor
N/A ㊣品
N/A 全新進口
-
國內授權代理分銷

ATP112-TL-H
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4044
ON
TO252
2204+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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功能描述
MOSFET SWITCHING DEVICE
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶體管極性
N-Channel
汲極/源極擊穿電壓
650 V
閘/源擊穿電壓
25 V
漏極連續電流
130 A
電阻汲極/源極 RDS（導通）
0.014 Ohms
配置
Single
最大工作溫度
安裝風格
Through Hole
封裝 / 箱體
Max247
封裝
Tube

ATP112-TL-H 技術參數

ATP108-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:70A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:10.4 毫歐 @ 35A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:79.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3850pF @ 20V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP107-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 50A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:50A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:17 毫歐 @ 25A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2400pF @ 20V 功率 - 最大值:50W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:3,000 ATP106-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 40V 30A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:25 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1380pF @ 20V 功率 - 最大值:40W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP104-TL-HX 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產 FET 類型:P 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Ta）不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:76nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:3950pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 38A，10V 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:ATPAK 封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）標準包裝:3,000 ATP104-TL-H 功能描述:MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:無貨 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，4.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:75A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:8.4 毫歐 @ 38A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:- 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:76nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3950pF @ 10V 功率 - 最大值:60W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:ATPAK（2 引線 + 接片）供應商器件封裝:ATPAK 標準包裝:1 ATP207-TL-H ATP208-TL-H ATP212-S-TL-H ATP212-TL-H ATP213-TL-H ATP214-TL-H ATP216-TL-H ATP218-TL-H ATP2PS-CKIT ATP301-TL-H ATP302-TL-H ATP304-TL-H ATP401-TL-H ATP404-H-TL-H ATP404-TL-H ATP405-TL-H ATP4PS-CKIT ATP602-TL-H

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