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AUIRF2607ZTRL

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  • 制造商
  • IRF
  • 制造商全稱
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • HEXFET? Power MOSFET
AUIRF2607ZTRL 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRF1405ZSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:150A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4780pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRF1405ZS-7TRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 88A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:230nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5360pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRF1405ZS-7P 功能描述:MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK-7 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 88A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 150μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:230nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5360pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7，D2Pak（6 引線+接片），TO-263CB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK（7-Lead） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF1405ZS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:150A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4780pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF1405ZL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 150A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:150A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 毫歐 @ 75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:180nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4780pF @ 25V 功率 - 最大值:230W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRF2807 AUIRF2903Z AUIRF2903ZL AUIRF2903ZS AUIRF2903ZSTRL AUIRF2907Z AUIRF2907ZS7PTL AUIRF3004WL AUIRF3007 AUIRF3205 AUIRF3205Z AUIRF3205ZS AUIRF3205ZSTRL AUIRF3305 AUIRF3315S AUIRF3315STRL AUIRF3415 AUIRF3504
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