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AUIRFR2905ZSTRR

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AUIRFR2905ZSTRR 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFR2905Z 功能描述:MOSFET N-CH 55V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):14.5 毫歐 @ 36A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):44nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1380pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR2607ZTRL 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):51nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1440pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 AUIRFR2607Z 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):22 毫歐 @ 30A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):51nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):1440pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR2407 功能描述:MOSFET N-CH 75V 42A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):42A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):26 毫歐 @ 25A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2400pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR2405 功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):停產(chǎn) FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):30A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):16 毫歐 @ 34A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):110nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2430pF @ 25V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK(TO-252AA) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFR4105 AUIRFR4105Z AUIRFR4105ZTRL AUIRFR4292 AUIRFR4292TRL AUIRFR4615 AUIRFR4615TRL AUIRFR4620 AUIRFR4620TRL AUIRFR48Z AUIRFR48ZTRL AUIRFR5305 AUIRFR5305TRL AUIRFR540Z AUIRFR540ZTRL AUIRFR5410 AUIRFR5410TRL AUIRFR5505
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