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AUIRFSL8409

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  • AUIRFSL8409
    AUIRFSL8409

    AUIRFSL8409

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話(huà):0755-8322569219129381337(微信同號(hào))

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • AUIRFSL8409
    AUIRFSL8409

    AUIRFSL8409

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話(huà):19129493934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì):營(yíng)業(yè)執(zhí)照

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  • INTERNATI

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  • 制造商
  • IRF
  • 制造商全稱(chēng)
  • International Rectifier
  • 功能描述
  • AUTOMOTIVE GRADE
AUIRFSL8409 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFSL6535 功能描述:MOSFET NCH 300V 19A TO262 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101,HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):300V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):19A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):185 毫歐 @ 11A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 150μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):57nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):2340pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262-3 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFSL4310 功能描述:MOSFET N-CH 100V 75A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):最後搶購(gòu) FET 類(lèi)型:N 溝道 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):100V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):75A(Tc) 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?(Qg)(最大值):250nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):7670pF @ 50V FET 功能:- 功率耗散(最大值):300W(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):7 毫歐 @ 75A,10V 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 AUIRFSL4115 功能描述:MOSFET N CH 150V 99A TO262 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):150V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):99A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):12.1 毫歐 @ 62A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):120nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):5270pF @ 50V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA 供應(yīng)商器件封裝:TO-262 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFSA8409-7TRL 功能描述:MOSFET NCH 40V 523A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101,HEXFET? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):523A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):0.69 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):460nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13975pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRFSA8409-7P 功能描述:MOSFET NCH 40V 523A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:汽車(chē)級(jí),AEC-Q101,HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):523A(Tc) 不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):0.69 毫歐 @ 100A,10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3.9V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):460nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):13975pF @ 25V 功率 - 最大值:375W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片) 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK(7-Lead) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFZ24NSTRL AUIRFZ24NSTRR AUIRFZ34N AUIRFZ44N AUIRFZ44NS AUIRFZ44VZS AUIRFZ44VZSTRL AUIRFZ44Z AUIRFZ44ZS AUIRFZ44ZSTRL AUIRFZ46NL AUIRFZ48N AUIRFZ48Z AUIRFZ48ZS AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30SSTRL AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30USTRL
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