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AUIRFZ34N

配單專家企業(yè)名單
  • 型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號(hào)
  • 價(jià)格
  • 說明
  • 操作
  • AUIRFZ34N
    AUIRFZ34N

    AUIRFZ34N

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號(hào)）

    地址：廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 8650000

  • DO

  • TO-220

  • 最新批號(hào)

  • -

  • 一級(jí)代理.原裝特價(jià)現(xiàn)貨！

  • AUIRFZ34N
    AUIRFZ34N

    AUIRFZ34N

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人：何芝

    電話：19129491934(手機(jī)優(yōu)先微信同號(hào))0755-82865099

    地址：深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座2028室

    資質(zhì)：營(yíng)業(yè)執(zhí)照

  • 7500

  • IR

  • TO-220AB

  • 13+

  • -

  • 全新原裝，現(xiàn)貨，價(jià)優(yōu)！

  • 1/1頁 40條/頁 共33條 
  • 1
AUIRFZ34N PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)
  • 功能描述
  • MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms
  • RoHS
  • 否
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續(xù)電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風(fēng)格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
AUIRFZ34N 技術(shù)參數(shù)
  • AUIRFZ24NSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:370pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK（TO-252AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRFZ24NSTRL 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:370pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK（TO-252AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:800 AUIRFZ24NS 功能描述:MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:55V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:70 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:370pF @ 25V 功率 - 最大值:3.8W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 供應(yīng)商器件封裝:D-PAK（TO-252AA） 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 AUIRFU540Z 功能描述:MOSFET N CH 100V 35A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:35A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:28.5 毫歐 @ 21A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:59nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:91W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFU4292 功能描述:MOSFET N CH 250V 9.3A IPAK 制造商:infineon technologies 系列:HEXFET? 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:9.3A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:345 毫歐 @ 5.6A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 50μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:705pF @ 25V 功率 - 最大值:100W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA 供應(yīng)商器件封裝:I-Pak 標(biāo)準(zhǔn)包裝:75 AUIRFZ48Z AUIRFZ48ZS AUIRG4BC30S-S AUIRG4BC30SSTRL AUIRG4BC30U-S AUIRG4BC30USTRL AUIRG4PC40S-E AUIRG4PH50S AUIRGB4062D1 AUIRGDC0250 AUIRGF65A40D0 AUIRGF65G40D0 AUIRGF66524D0 AUIRGF76524D0 AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD-E AUIRGP4062D AUIRGP4062D1
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