| 元器件型號 | 廠商 | 描述 | 數量 | 價格 |
|---|---|---|---|---|
| PSMN1R6-30PL,127 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 30V 100A TO-220AB3 | 1,000 | 1,000:$1.22801 |
| 類別: | 分離式半導體產品 |
|---|---|
| FET 型: | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點: | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss): | 30V |
| 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: | 100A |
| 開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C: | 1.7 毫歐 @ 25A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）: | 2.15V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs: | 212nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds: | 12493pF @ 12V |
| 功率 - 最大: | 306W |
| 安裝類型: | 通孔 |
| 封裝/外殼: | TO-220-3 |
| 供應商設備封裝: | TO-220AB |
| 包裝: | 管件 |