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B65811P0180A097

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功能描述
EMI/RFI 抑制器及鐵氧體 RM8 N97
RoHS
否
制造商
Fair-Rite
產品
Ferrite Cores
阻抗
365 Ohms
容差
最大直流電流
最大直流電阻
工作溫度范圍
- 55 C to + 125 C
封裝 / 箱體
端接類型
SMD/SMT

B65811P0180A097 技術參數

B65811P0160A049 功能描述:FERRITE CORE 制造商:epcos (tdk) 系列:- 零件狀態:在售內核類型:RM 容差:- 間隙:無缺口材料:- 表面:無涂層供應商器件封裝:- 高度:- 長度:- 寬度:- 直徑:- 標準包裝:200 B65811P0000R092 功能描述:FERRITE CORE RM 3.1UH N92 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811P 零件狀態:在售內核類型:RM 電感因數（Al）:3.1μH 容差:-20%，+30% 間隙:無缺口有效磁導率 (μe):1090 初始磁導率（μi）:1500 材料:N92 磁心因數（ΣI/A） mm-1:0.44 有效長度（e） mm:28.7 有效面積（Ae）mm2:64.9 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:55.4 有效磁體體積（Ve） mm3:1860 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 8 LP 高度:5.80mm 長度:23.20mm 寬度:11.00mm 直徑:- 標準包裝:200 B65811P0000R087 功能描述:FERRITE CORE RM 4.1UH N87 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811P 零件狀態:在售內核類型:RM 電感因數（Al）:4.1μH 容差:-20%，+30% 間隙:無缺口有效磁導率 (μe):1440 初始磁導率（μi）:2200 材料:N87 磁心因數（ΣI/A） mm-1:0.44 有效長度（e） mm:28.7 有效面積（Ae）mm2:64.9 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:55.4 有效磁體體積（Ve） mm3:1860 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 8 LP 高度:5.80mm 長度:23.20mm 寬度:11.00mm 直徑:- 標準包裝:200 B65811P0000R049 功能描述:FERRITE CORE RM 2.9UH N49 2PCS 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811P 零件狀態:在售內核類型:RM 電感因數（Al）:2.9μH 容差:-20%，+30% 間隙:無缺口有效磁導率 (μe):1020 初始磁導率（μi）:1500 材料:N49 磁心因數（ΣI/A） mm-1:0.44 有效長度（e） mm:28.7 有效面積（Ae）mm2:64.9 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:55.4 有效磁體體積（Ve） mm3:1860 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 8 LP 高度:5.80mm 長度:23.20mm 寬度:11.00mm 直徑:- 標準包裝:200 B65811JY38 功能描述:FERRITE CORE RM 12.5UH T38 制造商:epcos (tdk) 系列:B65811 零件狀態:有效內核類型:RM 電感因數（Al）:12.5μH 容差:-30%，+40% 間隙:無缺口有效磁導率 (μe):5910 初始磁導率（μi）:2300 材料:T38 磁心因數（ΣI/A） mm-1:0.59 有效長度（e） mm:38 有效面積（Ae）mm2:64 最小磁心橫截面（Amin）?mm2:55 有效磁體體積（Ve） mm3:2430 表面:無涂層供應商器件封裝:RM 8 高度:8.25mm 長度:23.20mm 寬度:11.00mm 直徑:- 標準包裝:200 B65812C2005X B65812N1005D002 B65812N1005D1 B65812N1005D2 B65812N1008D002 B65812N1008D1 B65812N1012D002 B65812N1012D1 B65812N1108D002 B65812P1005D1 B65812P1008D1 B65812P1008D2 B65812P1012D001 B65812P1012D1 B65812P2203X B65812P2203X000 B65812S1108D2 B65813D0400A048