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B82477G4562M

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  • B82477G4562M000
    B82477G4562M000

    B82477G4562M000

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • EPCOS

  • SMD

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  • B82477G4562M
    B82477G4562M

    B82477G4562M

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 6000

  • EPCOS (TDK)

  • 標準封裝

  • 16+

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  • 假一罰十,百分百正品

  • B82477G4562M
    B82477G4562M

    B82477G4562M

  • 深圳市鴻昌盛電子科技有限公司
    深圳市鴻昌盛電子科技有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:13428937514

    地址:門市: 新華強廣場2樓公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室

    資質:營業執照

  • 400

  • EPCOS

  • 12

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  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • Ind Power Shielded Wirewound 5.6uH 20% 100KHz Ferrite 6.7A Blister T/R
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 12X12 5,6 UH 6,70 A - Tape and Reel
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • SMT-INDUCTOR 12X12 5.6UH 6.70A
  • 制造商
  • TDK-EPC
  • 功能描述
  • INDUCTOR POWER 5.6uH
B82477G4562M 技術參數
  • B82477G4474M 功能描述:470μH Shielded Wirewound Inductor 800mA 790 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:470μH 容差:±20% 額定電流:800mA 電流 - 飽和值:950mA 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):790 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬(12.30mm x 12.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.236"(6.00mm) 標準包裝:1 B82477G4473M 功能描述:47μH Shielded Wirewound Inductor 2.5A 82 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:47μH 容差:±20% 額定電流:2.5A 電流 - 飽和值:3A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):82 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬(12.80mm x 12.80mm) 高度 - 安裝(最大值):0.315"(8.00mm) 標準包裝:1 B82477G4472M 功能描述:4.7μH Shielded Wirewound Inductor 6.8A 14 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:4.7μH 容差:±20% 額定電流:6.8A 電流 - 飽和值:8.6A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):14 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.504" 長 x 0.504" 寬(12.80mm x 12.80mm) 高度 - 安裝(最大值):0.315"(8.00mm) 標準包裝:1 B82477G4392M 功能描述:3.9μH Shielded Wirewound Inductor 7.5A 12.5 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:3.9μH 容差:±20% 額定電流:7.5A 電流 - 飽和值:9.5A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):12.5 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬(12.30mm x 12.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.236"(6.00mm) 標準包裝:1 B82477G4334M 功能描述:330μH Shielded Wirewound Inductor 950mA 600 mOhm Max Nonstandard 制造商:epcos (tdk) 系列:B82477G4 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:繞線 材料 - 磁芯:鐵氧體 電感:330μH 容差:±20% 額定電流:950mA 電流 - 飽和值:1.15A 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):600 毫歐最大 不同頻率時的 Q 值:- 頻率 - 自諧振:- 等級:- 工作溫度:-55°C ~ 125°C 頻率 - 測試:100kHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:非標準 大小/尺寸:0.484" 長 x 0.484" 寬(12.30mm x 12.30mm) 高度 - 安裝(最大值):0.236"(6.00mm) 標準包裝:1 B82477P2103M B82477P2103M000 B82477P2104M B82477P2104M000 B82477P2105M B82477P2105M000 B82477P2152M B82477P2152M000 B82477P2153M B82477P2153M000 B82477P2154M B82477P2154M000 B82477P2222M B82477P2222M000 B82477P2223M B82477P2223M000 B82477P2224M B82477P2224M000
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