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BARO-DO

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操作

BARO-DO
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生
電話：1376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
61428
Amphenol All Sensors
A Package
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

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您是不是要找： BAS 125-06W E6327 BAS 16 B5003 BAS 16-02V E6327 BAS 16-02W E6327 BAS 16-07L4 E6327 BAS 3005A-02V E6327 BAS 3005A-02V H6327 BAS 3005B-02V E6327 BAS 3005B-02V H6327

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功能描述
板上安裝壓力/力傳感器 Absolute Digital A Package
RoHS
否
制造商
Honeywell
工作壓力
0 bar to 4 bar
壓力類型
Gage
準確性
+ / - 0.25 %
輸出類型
Digital
安裝風格
Through Hole
工作電源電壓
5 V
封裝 / 箱體
SIP
端口類型
Dual Radial Barbed, Same sides

BARO-DO 技術參數

BARO-A-4V-REF-PRIME 功能描述:Pressure Sensor 8.7 PSI ~ 15.95 PSI (60 kPa ~ 110 kPa) Absolute Male - 0.19" (4.83mm) Tube, Dual 0 V ~ 4.25 V 4-SIP 制造商:all sensors corporation 系列:- 零件狀態:過期壓力類型:絕對工作壓力:8.7 PSI ~ 15.95 PSI（60 kPa ~ 110 kPa）輸出類型:模擬電壓輸出:0 V ~ 4.25 V 精度:±2% 電壓 - 電源:5.5 V ~ 16 V 端口尺寸:公型 - 0.19"（4.83mm）雙管端口樣式:無倒鉤特性:溫度補償端子類型:* 最高壓力:60 PSI（413.69 kPa）工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:4-SIP 供應商器件封裝:- 標準包裝:1 BAR90098LRHE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - 2 Independent 80V 100mA 250mW PG-TSLP-4 (1.2x0.8) 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期二極管類型:PIN - 2 個獨立電壓 - 峰值反向（最大值）:80V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:800 毫歐 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:4-XFDFN 供應商器件封裝:PG-TSLP-4（1.2x0.8）標準包裝:15,000 BAR9002LSE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 150mW PG-TSSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:80V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:800 毫歐 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:150mW 封裝/外殼:2-XFDFN 供應商器件封裝:PG-TSSLP-2 標準包裝:1 BAR9002LRHE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSLP-2 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:80V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:800 毫歐 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:SOD-882 供應商器件封裝:PG-TSLP-2 標準包裝:1 BAR9002ELSE6327XTSA1 功能描述:RF Diode PIN - Single 80V 100mA 250mW PG-TSSLP-2-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:有效二極管類型:PIN - 單電壓 - 峰值反向（最大值）:80V 電流 - 最大值:100mA 不同?Vr，F 時的電容:0.35pF @ 1V，1MHz 不同?If，F 時的電阻:800 毫歐 @ 10mA，100MHz 功率耗散（最大值）:250mW 封裝/外殼:2-XFDFN 供應商器件封裝:PG-TSSLP-2-3 標準包裝:15,000 BAS 3007A-RPP E6327 BAS 3010S-02LRH E6327 BAS 3020B E6327 BAS 40 B5003 BAS 40 E6327 BAS 4002A RPP E6327 BAS 40-04 B5003 BAS 40-04 E6327 BAS 40-05 B5003 BAS 40-05 E6327 BAS 40-06 B5003 BAS 40-07 B6327 BAS 52-02V E6327 BAS 52-02V E6433 BAS 52-02V H6327 BAS 70 B5003 BAS 70 E6327 BAS 70-02W E6327