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BAS316/DLT

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BAS316/DLT 技術參數

BAS316/DG/B3,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:10,000 BAS316/DG/B3,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA TO236 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車級，AEC-Q101 零件狀態:停產二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 BAS316,H3F 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA USC 制造商:toshiba semiconductor and storage 系列:- 零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA 不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:3ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:200nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:0.35pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:USC 工作溫度 - 結:150°C（最大）標準包裝:3,000 BAS316,135 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:150°C（最大）基本零件編號:BAS316 標準包裝:1 BAS316,115 功能描述:DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD323 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售二極管類型:標準電壓 - DC 反向（Vr）（最大值）:100V 電流 - 平均整流（Io）:250mA（DC）不同 If 時的電壓 - 正向（Vf:1.25V @ 150mA 速度:快速恢復 = 200mA（Io）反向恢復時間（trr）:4ns 不同?Vr 時的電流 - 反向漏電流:500nA @ 80V 不同?Vr，F 時的電容:1.5pF @ 0V，1MHz 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:SOD-323 工作溫度 - 結:150°C（最大）基本零件編號:BAS316 標準包裝:1 BAS321/8X BAS321/ZLF BAS321/ZLX BAS321Z BAS32L,115 BAS32L,135 BAS33-TAP BAS34-TAP BAS34-TR BAS35 BAS35,215 BAS381-TR BAS381-TR3 BAS382-TR BAS382-TR3 BAS383-TR BAS383-TR3 BAS385-TR