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BB 659C H7902 TR

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BB 659C H7902 TR 技術參數

BB 659C E7912 功能描述:DIODE VARIABLE 30V 20MA SCD-80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期不同?Vr，F 時的電容:2.75pF @ 28V，1MHz 電容比:15.3 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:8,000 BB 659C E7902 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期不同?Vr，F 時的電容:2.75pF @ 28V，1MHz 電容比:15.3 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:3,000 BB 659 E7908 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期不同?Vr，F 時的電容:2.9pF @ 28V，1MHz 電容比:14.7 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:15,000 BB 659 E7902 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SCD-80 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期不同?Vr，F 時的電容:2.9pF @ 28V，1MHz 電容比:14.7 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-80 供應商器件封裝:PG-SCD80-2 標準包裝:3,000 BB 639 E7906 功能描述:DIODE VAR CAP 30V 20MA SOD-323 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期不同?Vr，F 時的電容:2.9pF @ 28V，1MHz 電容比:14.7 電容比條件:C1/C28 電壓 - 峰值反向（最大值）:30V 二極管類型:單一不同 Vr，F 時的 Q 值:- 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-76，SOD-323 供應商器件封裝:PG-SOD323-2 標準包裝:3,000 BB 689-02V E7902 BB 689-02V E7908 BB 804 SF3 E6327 BB 814 B6327 GR1 BB 814 E6327 GR1 BB 814 E6433 GR1 BB 833 E6433 BB 857 E7902 BB000050VZ10136AL1 BB000050VZ17136AL1 BB000050VZ25036AC1 BB000050VZ50033AC1 BB000050VZ50036AC1 BB000050VZ75036AL1 BB000050VZ95012AC1 BB000050VZ95013AC1 BB000057BH33033AC1 BB000057BH33036AC1