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BC619

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BC619 技術參數

BC618RL1G 功能描述:TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:55V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC618RL1 功能描述:TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:55V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BC618G 功能描述:TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:55V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BC618,112 功能描述:TRANS NPN DARL 55V 0.5A TO-92 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:500mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:55V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:155MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:1,000 BC618 功能描述:TRANS NPN DARL 55V 1A TO-92 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 達林頓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:1A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:55V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:1.1V @ 200μA，200mA 電流 - 集電極截止（最大值）:50nA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:10000 @ 200mA，5V 功率 - 最大值:625mW 頻率 - 躍遷:150MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3 標準主體（!--TO-226AA）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:5,000 BC635_J35Z BC635_L34Z BC635-16,126 BC635RL1 BC635RL1G BC635ZL1 BC635ZL1G BC636 BC636,116 BC636_J35Z BC636BU BC636TA BC636TAR BC636TF BC636TFR BC637 BC637_D26Z BC637_D27Z