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BCR 148W E6327

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功能描述
開關晶體管 - 偏壓電阻器 NPN Silicon Digital TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
ON Semiconductor
配置
晶體管極性
NPN/PNP
典型輸入電阻器
典型電阻器比率
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
直流集電極/Base Gain hfe Min
200 mA
最大工作頻率
集電極—發射極最大電壓 VCEO
50 V
集電極連續電流
150 mA
峰值直流集電極電流
功率耗散
200 mW
最大工作溫度
封裝
Reel

BCR 148W E6327 技術參數

BCR 148T E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW SC75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BCR 148S H6827 功能描述:TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:2 個 NPN 預偏壓式（雙）電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:- 頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:6-VSSOP，SC-88，SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR 148L3 E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:停產晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:70mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BCR 148F E6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:PG-TSFP-3 標準包裝:3,000 BCR 148F B6327 功能描述:TRANS PREBIAS NPN 250MW TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN - 預偏壓電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:50V 電阻器 - 基底（R1）（歐姆）:47k 電阻器 - 發射極基底（R2）（歐姆）:47k 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 5mA，5V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:300mV @ 500μA，10mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO）頻率 - 躍遷:100MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:PG-TSFP-3 標準包裝:30,000 BCR 153T E6327 BCR 158 B6327 BCR 158F E6327 BCR 158L3 E6327 BCR 158T E6327 BCR 162 B6327 BCR 162F E6327 BCR 162L3 E6327 BCR 162T E6327 BCR 164F E6327 BCR 164L3 E6327 BCR 164T E6327 BCR 166F E6327 BCR 166L3 E6327 BCR 166T E6327 BCR 169F E6327 BCR 169L3 E6327 BCR 169T E6327