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BCR16AM-10

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    BCR16AM-10

    BCR16AM-10

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

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  • 三菱

  • MT-4

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BCR16AM-10 技術參數
  • BCR169WH6327XTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR169WE6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:3,000 BCR169SH6327XTSA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR169SE6327BTSA1 功能描述:TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:2 個 PNP 預偏壓式(雙) 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):- 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:250mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:6-VSSOP,SC-88,SOT-363 供應商器件封裝:PG-SOT363-6 標準包裝:3,000 BCR169E6327HTSA1 功能描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:上次購買時間 晶體管類型:PNP - 預偏壓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V 電阻器 - 基底(R1)(歐姆):4.7k 電阻器 - 發射極基底(R2)(歐姆):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):120 @ 5mA,5V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 頻率 - 躍遷:200MHz 功率 - 最大值:200mW 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BCR16LM-16LH-1#B00 BCR16PM-12LG#B00 BCR16PM-16LH-1#B00 BCR16PM-16LH-1#C0A BCR16RM-12LB#B00 BCR183E6327HTSA1 BCR183E6359HTMA1 BCR183E6433HTMA1 BCR183SE6327BTSA1 BCR183SE6433BTMA1 BCR183SH6327XTSA1 BCR183SH6433XTMA1 BCR183UE6327HTSA1 BCR183WE6327HTSA1 BCR183WH6327XTSA1 BCR185E6327HTSA1 BCR185E6433HTMA1 BCR185SB6327XT
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