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BCW56/A1P

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BCW56/A1P 技術參數
  • BCW33T116 功能描述:TRANS NPN 32V 0.1A SST3 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):- 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:- 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SST3 標準包裝:3,000 BCW33LT3G 功能描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:10,000 BCW33LT1G 功能描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:1 BCW33LT1 功能描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):250mV @ 500μA,10mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:300mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:3,000 BCW33,215 功能描述:TRANS NPN 32V 0.1A SOT23 制造商:nexperia usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):210mV @ 2.5mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):420 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:TO-236AB(SOT23) 標準包裝:1 BCW60CE6327HTSA1 BCW60CT116 BCW60D BCW60D,215 BCW60D,235 BCW60DE6327HTSA1 BCW60DT116 BCW60FFE6327HTSA1 BCW60FNE6393HTSA1 BCW61AE6327HTSA1 BCW61AMTF BCW61B,215 BCW61BE6327HTSA1 BCW61BMTF BCW61C,215 BCW61C,235 BCW61CE6327HTSA1 BCW61CMTF
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