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BCW65BL

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BCW65BL 技術參數
  • BCW65ALT1G 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:1 BCW65ALT1 功能描述:TRANS NPN 32V 0.8A SOT-23 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):700mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:225mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3(TO-236) 標準包裝:3,000 BCW61DTA 功能描述:TRANS PNP 32V 0.2A SOT23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):200mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):550mV @ 1.25mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):380 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:330mW 頻率 - 躍遷:180MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BCW61DMTF 功能描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):550mV @ 1.25mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):380 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:350mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BCW61DE6327HTSA1 功能描述:TRANS PNP 32V 0.1A SOT-23 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:停產 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):32V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):550mV @ 1.25mA,50mA 電流 - 集電極截止(最大值):20nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):380 @ 2mA,5V 功率 - 最大值:330mW 頻率 - 躍遷:250MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BCW66GR BCW66GVL BCW66HR BCW66HTA BCW66HTC BCW66HVL BCW66KE6359HTMA1 BCW66KFE6327HTSA1 BCW66KGE6327HTSA1 BCW66KHB6327HTLA1 BCW66KHE6327HTSA1 BCW67BE6327HTSA1 BCW67CE6327HTSA1 BCW68FE6327HTSA1 BCW68FR BCW68FVL BCW68G BCW68GE6327HTSA1
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