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BCX38C.

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  • 制造商
  • Diodes Incorporated
  • 功能描述
  • TRANSISTOR DARLINGTON E-LINE
BCX38C. 技術參數
  • BCX38C 功能描述:TRANS NPN DARL 60V 0.8A TO92-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN - 達林頓 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):1.25V @ 8mA,800mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):10000 @ 500mA,5V 功率 - 最大值:1W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:4,000 BCX38A 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):60V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):1000 @ 500mA,5V 頻率 - 躍遷:- 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3 標準主體(!--TO-226AA) 供應商器件封裝:TO-92 標準包裝:2,500 BCX23 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿(最大值):125V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 200mA,1V 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 BCX22 功能描述:THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:在售 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):125V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):- 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 200mA,1V 頻率 - 躍遷:50MHz 工作溫度:- 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-206AA,TO-18-3 金屬罐 供應商器件封裝:TO-18 標準包裝:2,000 BCX20 功能描述:TRANS NPN 25V 0.8A SOT-23 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極(Ic)(最大值):800mA 電壓 - 集射極擊穿(最大值):25V 不同?Ib,Ic 時的?Vce 飽和值(最大值):620mV @ 50mA,500mA 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO) 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):100 @ 100mA,1V 功率 - 最大值:310mW 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000 BCX51,115 BCX51-10,115 BCX51-10F BCX5110TA BCX51-16,115 BCX51-16,135 BCX5116H6327XTSA1 BCX5116H6433XTMA1 BCX5116TA BCX51E6327HTSA1 BCX51H6327XTSA1 BCX51TA BCX52,115 BCX52-10,115 BCX5210TA BCX52-16,115 BCX52-16,135 BCX5216E6327HTSA1
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