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BD17810STU

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功能描述
兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BD17810STU 技術參數

BD1766STU 功能描述:TRANS PNP 45V 3A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD17610STU 功能描述:TRANS PNP 45V 3A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:63 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD1756STU 功能描述:TRANS NPN 45V 3A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD1754HFN-TR 功能描述:LED照明驅動器 4 LEDs 2.7-5.5V 32mA Max Curr RoHS:否制造商:STMicroelectronics 輸入電壓:11.5 V to 23 V 工作頻率: 最大電源電流:1.7 mA 輸出電流: 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SO-16N BD17516STU 功能描述:TRANS NPN 45V 3A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:3A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 150mA，2V 功率 - 最大值:30W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD18377EFV-ME2 BD18378EFV-ME2 BD1865GWL-E2 BD18GA3MEFJ-LBH2 BD18GA3MEFJ-ME2 BD18GA3WEFJ-E2 BD18GA5MEFJ-ME2 BD18GA5WEFJ-E2 BD18GC0MEFJ-LBH2 BD18GC0MEFJ-ME2 BD18GC0WEFJ-E2 BD18HA3MEFJ-LBH2 BD18HA3MEFJ-ME2 BD18HA3WEFJ-E2 BD18HA5MEFJ-LBH2 BD18HA5MEFJ-ME2 BD18HA5WEFJ-E2 BD18HC0MEFJ-LBH2