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BD437/D

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
Plastic Medium Power Silicon NPN Transistor

BD437/D 技術參數

BD437 功能描述:TRANS NPN 45V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:600mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32-3 標準包裝:50 BD436TG 功能描述:TRANS PNP 32V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:50 BD436T 功能描述:TRANS PNP 32V 4A TO225 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:85 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:50 BD436STU 功能描述:TRANS PNP 32V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD436S 功能描述:TRANS PNP 32V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:32V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:500mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 10mA，5V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:250 BD439 BD439G BD439S BD440 BD44008 BD440G BD440S BD441 BD441G BD441STU BD442 BD442G BD442S BD442STU BD45000 BD45000BL BD450M2EFJ-CE2 BD450M2FP3-CE2