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BD442S

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BD442STU
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百正品現貨電話010-621049...

BD442STU
標準國際(香港)有限公司
標準國際(香港)有限公司
聯系人：朱小姐
電話：83617149
地址：新華強廣場2樓Q2B036室?|?公司: 深圳市福田區華強北路賽格廣場58樓5813室
資質：營業執照
20000
FAIRCHILD
2015+
-
公司現貨!只做原裝!

BD442STU
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
5000
FAI
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BD442S
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
SMG
NULL
09/10+
-
假一罰十，百分百原裝正品

BD442STU
深圳市硅宇電子有限公司
深圳市硅宇電子有限公司
聯系人：唐先生
電話：134242936540755-83690762
地址：深圳市福田區福虹路世界貿易廣場A座1503
資質：營業執照
170
FSC
TO-126
10+
-
原裝現貨/特價

1/1頁 40條/頁共21條
1

您是不是要找： BD442STU BD45000 BD45000BL BD450M2EFJ-CE2 BD450M2FP3-CE2 BD450M2WEFJ-CE2 BD450M2WFP3-CE2 BD450M5FP2-CZE2 BD450M5FP-CE2

BD442S PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BD442S PDF下載

功能描述
兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BD442S 技術參數

BD442G 功能描述:TRANS PNP 80V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD442 功能描述:TRANS PNP 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32 標準包裝:50 BD441STU 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO-126 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-126 標準包裝:60 BD441G 功能描述:TRANS NPN 80V 4A TO-225AA 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 300mA，3A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA（ICBO）不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:3MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:TO-225AA 標準包裝:500 BD441 功能描述:TRANS NPN 80V 4A SOT-32 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:4A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 500mA，1V 功率 - 最大值:36W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-225AA，TO-126-3 供應商器件封裝:SOT-32 標準包裝:50 BD450M5WFP2-CZE2 BD450M5WFPJ-CZE2 BD45231G-TR BD45232G-TR BD45235G-TR BD45241G-TR BD45242G-TR BD45245G-TR BD45251G-TR BD45252G-TR BD45255G-TR BD45261G-TR BD45262G-TR BD45265G-TR BD45271G-TR BD45272G-TR BD45275G-TR BD45281G-TR