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BD534K

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功能描述
兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
配置
晶體管極性
PNP
集電極—基極電壓 VCBO
集電極—發射極最大電壓 VCEO
- 40 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
- 6 V
集電極—射極飽和電壓
最大直流電集電極電流
增益帶寬產品fT
直流集電極/Base Gain hfe Min
100 A
最大工作溫度
安裝風格
SMD/SMT
封裝 / 箱體
PowerFLAT 2 x 2

BD534K 技術參數

BD534J 功能描述:TRANS PNP 45V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態:過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 600mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD5349G-TR 功能描述:電壓監測器/監控器 CMOS DETEC VOLT 4.9V RoHS:否制造商:Texas Instruments 監測電壓數:2 監測電壓:Adjustable 輸出類型:Open Drain 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 準確性:1 % 工作電源電壓:1.5 V to 6.5 V 工作電源電流:1.8 uA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SON-6 安裝風格:SMD/SMT BD5349FVE-TR 功能描述:電壓監測器/監控器 CMOS DETEC VOLT 4.9V RoHS:否制造商:Texas Instruments 監測電壓數:2 監測電壓:Adjustable 輸出類型:Open Drain 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 準確性:1 % 工作電源電壓:1.5 V to 6.5 V 工作電源電流:1.8 uA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SON-6 安裝風格:SMD/SMT BD5348G-TR 功能描述:電壓監測器/監控器 CMOS DETEC VOLT 4.8V RoHS:否制造商:Texas Instruments 監測電壓數:2 監測電壓:Adjustable 輸出類型:Open Drain 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 準確性:1 % 工作電源電壓:1.5 V to 6.5 V 工作電源電流:1.8 uA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SON-6 安裝風格:SMD/SMT BD5348FVE-TR 功能描述:電壓監測器/監控器 CMOS DETEC VOLT 4.8V RoHS:否制造商:Texas Instruments 監測電壓數:2 監測電壓:Adjustable 輸出類型:Open Drain 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 準確性:1 % 工作電源電壓:1.5 V to 6.5 V 工作電源電流:1.8 uA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SON-6 安裝風格:SMD/SMT BD5353G-TR BD5354FVE-TR BD5354G-TR BD5355FVE-TR BD5355G-TR BD5356FVE-TR BD5356G-TR BD5357FVE-TR BD5357G-TR BD5358FVE-TR BD5358G-TR BD5359FVE-TR BD5359G-TR BD535J BD536 BD5360FVE-TR BD5360G-TR BD536J