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BD538A.

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BD538A. PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BD538A. 技術(shù)參數(shù)

BD537KTU 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,000 BD537K 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD537J 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 200mA，2A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD537 功能描述:TRANS NPN 80V 8A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:管件零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:80V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 600mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:15 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:- 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 BD536J 功能描述:TRANS PNP 60V 8A TO-220 制造商:fairchild semiconductor 系列:- 包裝:散裝零件狀態(tài):過期晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:8A 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:60V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:800mV @ 600mA，6A 電流 - 集電極截止（最大值）:100μA 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:30 @ 2A，2V 功率 - 最大值:50W 頻率 - 躍遷:12MHz 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標準包裝:1,200 BD540A-S BD540B-S BD540C-S BD5413EFV-E2 BD5423AEFS-E2 BD5423EFS-E2 BD5423MUV-E2 BD5424EFS-E2 BD5426EFS-E2 BD5426MUV-E2 BD5427EFS-E2 BD5427MUV-E2 BD5431EFS-E2 BD543B-S BD543C-S BD5444EFV-E2 BD5445EFV-E2 BD5446EFV-E2