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BF014B0333J

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BF014B0333J 技術參數

BF 998 E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 8V 10mA 45MHz 28dB PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:N 通道頻率:45MHz 增益:28dB 電壓 - 測試:8V 額定電流:30mA 噪聲系數:2.8dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:12V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:PG-SOT143-4 標準包裝:1 BF 775 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 45mA 5GHz 280mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值:280mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:45mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BF 770A E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 90mA 6GHz 300mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:6GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:9.5dB ~ 14.5dB 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:90mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BF 5030R E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 3V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT143R-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道頻率:800MHz 增益:24dB 電壓 - 測試:3V 額定電流:25mA 噪聲系數:1.3dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:8V 封裝/外殼:SOT-143R 供應商器件封裝:PG-SOT143R-4 標準包裝:3,000 BF 5030 E6327 功能描述:RF Mosfet N-Channel 3V 10mA 800MHz 24dB PG-SOT143-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道頻率:800MHz 增益:24dB 電壓 - 測試:3V 額定電流:25mA 噪聲系數:1.3dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:8V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:PG-SOT143-4 標準包裝:3,000 BF014D0123J BF014D0123K BF014D0124J BF014D0124K-- BF014D0152J BF014D0152K BF014D0153J BF014D0153K BF014D0154J BF014D0154K BF014D0182J BF014D0182K BF014D0183J BF014D0183K BF014D0184J-- BF014D0184JDA BF014D0184JDD BF014D0222J