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BF991,215

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  • BF991,215
    BF991,215

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • 原廠封裝

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  • 代理此型號.原裝特價現貨!

  • BF991,215
    BF991,215

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  • 北京首天偉業科技有限公司
    北京首天偉業科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址: 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E

    資質:營業執照

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  • 假一罰十,百分百原裝正品

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:史仙雁

    電話:19129911934(手機優先微信同號)0755-82813018

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

  • 2300

  • NXP

  • ROHS

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  • 功能描述
  • 射頻MOSFET小信號晶體管 N-CH DUAL GATE 20V VHF
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Dual Dual Gate
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 6 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 6 V
  • 漏極連續電流
  • 30 mA
  • 功率耗散
  • 180 mW
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 安裝風格
  • SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體
  • SC-88
  • 封裝
  • Reel
BF991,215 技術參數
  • BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒(TB) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF959-UV1/3 功能描述:CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum 375V Start, 150V Operating 5mA 0.15μW, cm2 @ 1" 9.0mm x 59mm 制造商:jkl components corp. 系列:- 零件狀態:過期 大小/尺寸:9.0mm x 59mm 類型:CCFL - 紫外線(UV)窄頻譜 電壓:375V 啟動,150V 操作 電流:5mA 輸出:0.15μW,cm2 @ 1" 標準包裝:50 BF959RL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF959RL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):40 @ 20mA,10V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):100mA 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)(成形引線) 供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS BFA.5S.100.NAS
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