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BF991T/R

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 20V V(BR)DSS | 20MA I(D) | SOT-143

BF991T/R 技術參數

BF991,215 功能描述:MOSFET NCH DUAL GATE 20V SOT143B 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:N 通道雙門頻率:100MHz 增益:29dB 電壓 - 測試:10V 額定電流:20mA 噪聲系數:0.7dB 電流 - 測試:10mA 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:20V 封裝/外殼:TO-253-4，TO-253AA 供應商器件封裝:SOT-143B 標準包裝:1 BF959ZL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF959ZL1 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶盒（TB）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF959-UV1/3 功能描述:CCFL, Ultraviolet (UV) Narrow Spectrum 375V Start, 150V Operating 5mA 0.15μW, cm2 @ 1" 9.0mm x 59mm 制造商:jkl components corp. 系列:- 零件狀態:過期大小/尺寸:9.0mm x 59mm 類型:CCFL - 紫外線（UV）窄頻譜電壓:375V 啟動，150V 操作電流:5mA 輸出:0.15μW，cm2 @ 1" 標準包裝:50 BF959RL1G 功能描述:RF Transistor NPN 20V 100mA 700MHz 625mW Through Hole TO-92-3 制造商:on semiconductor 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:20V 頻率 - 躍遷:700MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 200MHz 增益:- 功率 - 最大值:625mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:40 @ 20mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引線）供應商器件封裝:TO-92-3 標準包裝:2,000 BF998WR,115 BF999E6327HTSA1 BF999E6433HTMA1 BFA.0B.160.LN BFA.0E.100.NAS BFA.1E.100.NAS BFA.1E.103.BAS BFA.1K.100.NAE BFA.2E.100.NAS BFA.2K.100.KZS BFA.2K.100.NAS BFA.2V.100.NAZ BFA.3E.100.NAS BFA.3K.100.NAS BFA.3K.170.800EN BFA.4E.100.NAS BFA.4S.100.NAS BFA.5S.100.NAS