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BFP 640F H6327

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封裝
批號
價格
說明
操作

BFP 640F H6327
北京首天偉業科技有限公司
北京首天偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業執照
5000
Infineon Technologies
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

BFP 640F H6327
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
9300
INFINEON
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共8條
1

您是不是要找： BFP 640FESD E6327 BFP 650F E6327 BFP 720F E6327 BFP 720FESD E6327 BFP 740F E6327 BFP 740FESD E6327 BFP-127111-10-9 BFP181E7764HTSA1 BFP182RE7764HTSA1

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BFP 640F H6327 PDF下載

功能描述
射頻硅鍺晶體管 RF BIP TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
Infineon Technologies
發射極 - 基極電壓 VEBO
集電極連續電流
功率耗散
安裝風格
封裝 / 箱體
封裝
Reel

BFP 640F H6327 技術參數

BFP 640 H6433 功能描述:RF Transistor NPN 4.5V 50mA 40GHz 200mW Surface Mount PG-SOT343-4 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:4.5V 頻率 - 躍遷:40GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:24dB 功率 - 最大值:200mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 30mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-82A，SOT-343 供應商器件封裝:PG-SOT343-4 標準包裝:10,000 BFP 620F E7764 功能描述:RF Transistor NPN 2.8V 80mA 65GHz 185mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:2.8V 頻率 - 躍遷:65GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.7dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 6GHz 增益:21dB 功率 - 最大值:185mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:110 @ 50mA，1.5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線供應商器件封裝:4-TSFP 標準包裝:3,000 BFP 540F E6327 功能描述:RF Transistor NPN 5V 80mA 30GHz 250mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:30GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:50 @ 20mA，3.5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線供應商器件封裝:4-TSFP 標準包裝:1 BFP 520F E6327 功能描述:RF Transistor NPN 3.5V 40mA 45GHz 100mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:3.5V 頻率 - 躍遷:45GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:0.95dB @ 1.8GHz 增益:22.5dB 功率 - 最大值:100mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 20mA，2V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線供應商器件封裝:4-TSFP 標準包裝:1 BFP 420F E6327 功能描述:RF Transistor NPN 5V 35mA 25GHz 160mW Surface Mount 4-TSFP 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:5V 頻率 - 躍遷:25GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.1dB @ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:160mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，4V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:35mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-SMD，扁平引線供應商器件封裝:4-TSFP 標準包裝:1 BFP182WE6327HTSA1 BFP182WH6327XTSA1 BFP183E7764HTSA1 BFP183WE6327BTSA1 BFP183WH6327XTSA1 BFP193E6327HTSA1 BFP193WE6327HTSA1 BFP193WH6327XTSA1 BFP196E6327HTSA1 BFP196WE6327HTSA1 BFP196WH6327XTSA1 BFP196WNH6327XTSA1 BFP405E6327BTSA1 BFP405E6433HTMA1 BFP405E6740HTSA1 BFP405FH6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 BFP405H6740XTSA1