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BFQ251T/R

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BFQ251T/R PDF下載

制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 300MA I(C) | SOT-54

BFQ251T/R 技術參數

BFQ19SH6327XTSA1 功能描述:RF Transistor NPN 15V 120mA 5.5GHz 1W Surface Mount SOT-89-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3dB @ 1.8GHz 增益:7dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFQ19,115 功能描述:TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 70mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFQ18A,115 功能描述:TRANS NPN 18V 150MA SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:18V 頻率 - 躍遷:4GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 100mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:150mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFQ149,115 功能描述:TRANS PNP 15V 100MA SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效晶體管類型:PNP 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:3.3dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:20 @ 70mA，10V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFQ 19S E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 210mA 5.5GHz 1W Surface Mount PG-SOT89 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:5.5GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:7dB ~ 11.5dB 功率 - 最大值:1W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 70mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:210mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:PG-SOT89 標準包裝:1 BFR 181 E6327 BFR 181 E6780 BFR 181T E6327 BFR 181W E6327 BFR 182 B6663 BFR 182 E6327 BFR 182T E6327 BFR 182W E6327 BFR 183 E6327 BFR 183T E6327 BFR 183W E6327 BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327