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BFQ67W,115

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BFQ67W,115
深圳市海天鴻電子科技有限公司
深圳市海天鴻電子科技有限公司
聯系人：彭小姐、劉先生、李小姐
電話：0755-82552857-80913528851884（周日專線）
地址：深圳市福田區中航路中航北苑大廈A座22A3號
資質：營業執照
7500
NXP
原廠原裝
1716+
-
只做原裝一手貨源，代理商分銷庫存

BFQ67W,115
深圳市亞泰盈科電子有限公司
深圳市亞泰盈科電子有限公司
聯系人：鄭女士
電話：15338868823
地址：公司地址：★★深圳市福田區佳和大廈B座1010
資質：營業執照
57945
NXP/恩智浦
UMT
2025+
-

BFQ67W,115
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生
電話：13487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
22217
NXP USA Inc.
SC-70, SOT-323
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BFQ67W,115
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
90000
NXP Semiconductors
SOT-323
18+
-
TRANS NPN 10V 20MA 8...

BFQ67W,115
深圳市芯馳科技有限公司
深圳市芯馳科技有限公司
聯系人：丁皓鵬
電話：1866538497818124166365
地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331
資質：營業執照
100000
Philips Semiconducto
N/A
15+
-
原裝正品價格優勢！

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您是不是要找： BFQ67W,135 BFQ790H6327XTSA1 BFR 106 E6327 BFR 181 E6327 BFR 181 E6780 BFR 181T E6327 BFR 181W E6327 BFR 182 B6663 BFR 182 E6327

BFQ67W,115 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFQ67W,115 PDF下載

功能描述
射頻雙極小信號晶體管 NPN 10V 50mA 8GHZ
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶體管極性
NPN
最大工作頻率
7000 MHz
集電極—發射極最大電壓 VCEO
15 V
發射極 - 基極電壓 VEBO
2 V
集電極連續電流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集電極/Base Gain hfe Min
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
SOT-223
封裝
Reel

BFQ67W,115 技術參數

BFQ67,215 功能描述:TRANS NPN 50MA 10V 8GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:10V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.3dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 2GHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 15mA，5V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:50mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BFQ591,115 功能描述:TRANS NPN 15V 7GHZ SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:7GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:- 增益:- 功率 - 最大值:2.25W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 70mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:200mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFQ540,115 功能描述:TRANS NPN 12V 9GHZ SOT89 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:9GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:1.9dB ~ 2.4dB @ 900MHz 增益:- 功率 - 最大值:1.2W 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 40mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:120mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-243AA 供應商器件封裝:SOT-89-3 標準包裝:1 BFQ31ATC 功能描述:RF Transistor NPN 15V 100mA 600MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:600MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 3mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BFQ31ATA 功能描述:RF Transistor NPN 15V 100mA 600MHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:600MHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:6dB @ 60MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 3mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:3,000 BFR 182T E6327 BFR 182W E6327 BFR 183 E6327 BFR 183T E6327 BFR 183W E6327 BFR 193 E6327 BFR 193L3 E6327 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327