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BFR 181W H6327

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  • 型號
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  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • BFR 181W H6327
    BFR 181W H6327

    BFR 181W H6327

  • 深圳市大源實業科技有限公司
    深圳市大源實業科技有限公司

    聯系人:李女士

    電話:1530261991513762584085

    地址:深圳市龍崗區五和大道山海商業廣場C座707室

  • 12500

  • NA

  • NA

  • 24+

  • -
  • 原裝,公司部分現貨,有單來談QQ:161...

  • BFR 181W H6327
    BFR 181W H6327

    BFR 181W H6327

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 22075

  • INFINEON

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共10條 
  • 1
BFR 181W H6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻雙極小信號晶體管 RF BIP TRANSISTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 最大工作頻率
  • 7000 MHz
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 15 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • 2 V
  • 集電極連續電流
  • 0.15 A
  • 功率耗散
  • 1000 mW
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-223
  • 封裝
  • Reel
BFR 181W H6327 技術參數
  • BFR 181W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BFR 181T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BFR 181 E6780 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:3,000 BFR 181 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFR 106 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 15V 210mA 5GHz 700mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):15V 頻率 - 躍遷:5GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.8dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8Ghz 增益:8.5dB ~ 13dB 功率 - 最大值:700mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 70mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):210mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFR 193W E6327 BFR 340T E6327 BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327
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