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BFR 182W E6327

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  • BFR 182W E6327
    BFR 182W E6327

    BFR 182W E6327

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

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  • BFR 182W E6327
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    BFR 182W E6327

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 80339

  • Infineon Technologies

  • SC-70, SOT-323

  • 25+

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  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • BFR 182W E6327
    BFR 182W E6327

    BFR 182W E6327

  • 深圳市眾芯微電子有限公司
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    聯系人:陳小姐

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    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-SOT323-3

  • 19+

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  • 1/1頁 40條/頁 共12條 
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BFR 182W E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 最大工作頻率
  • 7000 MHz
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 15 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • 2 V
  • 集電極連續電流
  • 0.15 A
  • 功率耗散
  • 1000 mW
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-223
  • 封裝
  • Reel
BFR 182W E6327 技術參數
  • BFR 182T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.2dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:20dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 10mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BFR 182 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFR 182 B6663 功能描述:RF Transistor NPN 12V 35mA 8GHz 250mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.9dB ~ 1.3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12dB ~ 18dB 功率 - 最大值:250mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 10mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:30,000 BFR 181W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 5mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BFR 181T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 20mA 8GHz 175mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.45dB ~ 1.8dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:19.5dB 功率 - 最大值:175mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):50 @ 5mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):20mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215 BFR106E6327HTSA1
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