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BFR 35AP E6327

配單專家企業(yè)名單

型號
供應商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

BFR 35AP E6327
北京首天偉業(yè)科技有限公司
北京首天偉業(yè)科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址： 廣東省深圳市福田區(qū)華強北街道電子科技大廈C座23E
資質：營業(yè)執(zhí)照
5000
Infineon Technologies
標準封裝
15+
-
百分百原裝假一罰十

BFR 35AP E6327
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
聯(lián)系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優(yōu)先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業(yè)執(zhí)照
9500
INFINEON
1521+
-
全新原裝現(xiàn)貨

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您是不是要找： BFR 360F E6327 BFR 360F E6765 BFR 360L3 E6327 BFR 360L3 E6765 BFR 360T E6327 BFR 380F E6327 BFR 380T E6327 BFR 460L3 E6327 BFR 705L3RH E6327

BFR 35AP E6327 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BFR 35AP E6327 PDF下載

功能描述
射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF TRANSISTOR
RoHS
否
制造商
NXP Semiconductors
配置
Single
晶體管極性
NPN
最大工作頻率
7000 MHz
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO
15 V
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO
2 V
集電極連續(xù)電流
0.15 A
功率耗散
1000 mW
直流集電極/Base Gain hfe Min
最大工作溫度
+ 150 C
封裝 / 箱體
SOT-223
封裝
Reel

BFR 35AP E6327 技術參數(shù)

BFR 340T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 9V 10mA 14GHz 60mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態(tài):停產(chǎn) 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:9V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1.15dB @ 1.8GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:60mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:60 @ 5mA，3V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:10mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-75，SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BFR 193W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BFR 193L3 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:12.5dB ~ 19dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-101，SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:1 BFR 193 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT23-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10dB ~ 15dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 30mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:80mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:PG-SOT23-3 標準包裝:1 BFR 183W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 65mA 8GHz 450mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）:0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:18.5dB 功率 - 最大值:450mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 15mA，8V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:65mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:SC-70，SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BFR 740L3 E6327 BFR 740L3RH E6327 BFR 92P E6327 BFR 92W E6327 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215 BFR106E6327HTSA1 BFR10SL3P1 BFR10SL3S1 BFR10SL4P1 BFR10SL4S1 BFR12S3P1 BFR12SA10P1 BFR14S-1P-1