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BFR 360L3 E6765

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  • 型號
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  • 封裝
  • 批號
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  • BFR 360L3 E6765
    BFR 360L3 E6765

    BFR 360L3 E6765

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

  • INFINEON

  • 原廠封裝

  • 最新批號

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  • 一級代理.原裝特價現貨!

  • BFR 360L3 E6765
    BFR 360L3 E6765

    BFR 360L3 E6765

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

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  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

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  • 只做原裝正品 歡迎洽談 電話010-62...

  • BFR 360L3 E6765
    BFR 360L3 E6765

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-TSLP-3

  • 19+

  • -
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  • BFR 360L3 E6765
    BFR 360L3 E6765

    BFR 360L3 E6765

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 28285

  • INFINEON

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共15條 
  • 1
BFR 360L3 E6765 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • 射頻雙極小信號晶體管 NPN Silicon RF Transistor
  • RoHS
  • 制造商
  • NXP Semiconductors
  • 配置
  • Single
  • 晶體管極性
  • NPN
  • 最大工作頻率
  • 7000 MHz
  • 集電極—發射極最大電壓 VCEO
  • 15 V
  • 發射極 - 基極電壓 VEBO
  • 2 V
  • 集電極連續電流
  • 0.15 A
  • 功率耗散
  • 1000 mW
  • 直流集電極/Base Gain hfe Min
  • 最大工作溫度
  • + 150 C
  • 封裝 / 箱體
  • SOT-223
  • 封裝
  • Reel
BFR 360L3 E6765 技術參數
  • BFR 360L3 E6327 功能描述:RF Transistor NPN 9V 35mA 14GHz 210mW Surface Mount PG-TSLP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):9V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1dB ~ 1.3dB @ 1.8GHz ~ 3GHz 增益:11.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值:210mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):90 @ 15mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-101,SOT-883 供應商器件封裝:PG-TSLP-3 標準包裝:15,000 BFR 360F E6765 功能描述:RF Transistor NPN 9V 35mA 14GHz 210mW Surface Mount TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):9V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1dB @ 1.8GHz 增益:15.5dB 功率 - 最大值:210mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):90 @ 15mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:TSFP-3 標準包裝:1 BFR 360F E6327 功能描述:RF Transistor NPN 9V 35mA 14GHz 210mW Surface Mount TSFP-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):9V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1dB @ 1.8GHz 增益:15.5dB 功率 - 最大值:210mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):90 @ 15mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):35mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-723 供應商器件封裝:TSFP-3 標準包裝:1 BFR 340T E6327 功能描述:RF Transistor NPN 9V 10mA 14GHz 60mW Surface Mount PG-SC-75 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):9V 頻率 - 躍遷:14GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1.15dB @ 1.8GHz 增益:15dB 功率 - 最大值:60mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):60 @ 5mA,3V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):10mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-75,SOT-416 供應商器件封裝:PG-SC-75 標準包裝:3,000 BFR 193W E6327 功能描述:RF Transistor NPN 12V 80mA 8GHz 580mW Surface Mount PG-SOT323-3 制造商:infineon technologies 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿(最大值):12V 頻率 - 躍遷:8GHz 噪聲系數(dB,不同 f 時的典型值):1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz 增益:10.5dB ~ 16dB 功率 - 最大值:580mW 不同?Ic,Vce?時的 DC 電流增益(hFE)(最小值):70 @ 30mA,8V 電流 - 集電極(Ic)(最大值):80mA 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SC-70,SOT-323 供應商器件封裝:PG-SOT323-3 標準包裝:1 BFR 93A E6327 BFR 93AW E6327 BFR 949L3 E6327 BFR 949T E6327 BFR.3K.100.NAS BFR106,215 BFR106E6327HTSA1 BFR10SL3P1 BFR10SL3S1 BFR10SL4P1 BFR10SL4S1 BFR12S3P1 BFR12SA10P1 BFR14S-1P-1 BFR14S1S1 BFR14S2P1 BFR14S-2P-1F80 BFR14S2S1
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