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BFS17LT116

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制造商
ROHM Semiconductor
功能描述

BFS17LT116 技術參數

BFS17HTC 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.3GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.3GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:10,000 BFS17HTA 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1.3GHz 330mW Surface Mount SOT-23-3 制造商:diodes incorporated 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1.3GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:330mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:70 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23-3 標準包裝:1 BFS17A,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 2.8GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:2.8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 800MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BFS17A,215 功能描述:TRANS NPN 25MA 15V 3GHZ SOT23 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:2.8GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:2.5dB @ 800MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:1 BFS17,235 功能描述:RF Transistor NPN 15V 25mA 1GHz 300mW Surface Mount SOT-23 (TO-236AB) 制造商:nxp semiconductors 系列:- 包裝:帶卷（TR）零件狀態:過期晶體管類型:NPN 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:15V 頻率 - 躍遷:1GHz 噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）:4.5dB @ 500MHz 增益:- 功率 - 最大值:300mW 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:25 @ 2mA，1V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:25mA 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23（TO-236AB）標準包裝:10,000 BFS17WH6327XTSA1 BFS19,215 BFS19,235 BFS-1A-05 BFS-1A-05C BFS-1A-05E BFS-1A-12 BFS-1A-12C BFS-1A-12E BFS20,215 BFS20,235 BFS200-12 BFS200-24 BFS200-48 BFS20W,115 BFS25A,115 BFS481H6327XTSA1 BFS483H6327XTSA1