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BSC026N02KSGXT

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BSC026N02KSGXT 技術參數

BSC026N02KSGAUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta），100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:52.7nC @ 4.5V Vgs（最大值）:±12V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:7800pF @ 10V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.8W（Ta），78W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 50A，4.5V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC026N02KS G 功能描述:MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極，2.5V 驅動漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.6 毫歐 @ 50A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1.2V @ 200μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:52.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7800pF @ 10V 功率 - 最大值:78W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC025N03MSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:23A（Ta）. 100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:98nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:7600pF @ 15V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC025N03LSGATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta），100A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.5 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:74nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6100pF @ 15V 功率 - 最大值:83W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerTDFN 供應商器件封裝:PG-TDSON-8 標準包裝:1 BSC024NE2LSATMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 25A TDSON-8 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:25A（Ta），100A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.5W（Ta），48W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:PG-TDSON-8 封裝/外殼:8-PowerTDFN 標準包裝:1 BSC028N06NSTATMA1 BSC029N025S G BSC030N03LSGATMA1 BSC030N03MSGATMA1 BSC030N04NSGATMA1 BSC030N08NS5ATMA1 BSC030P03NS3 G BSC030P03NS3GAUMA1 BSC031N06NS3GATMA1 BSC032N03S BSC032N03SG BSC032N04LSATMA1 BSC032NE2LSATMA1 BSC034N03LSGATMA1 BSC034N06NSATMA1 BSC035N04LSGATMA1 BSC035N10NS5ATMA1 BSC036NE7NS3GATMA1