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BSF035NE2LQXUMA1

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批號
價格
說明
操作

BSF035NE2LQXUMA1
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
INFINEON
原廠封裝
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

BSF035NE2LQXUMA1
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：曹先生/周小姐/高先生
電話：134878658521376027201718520805148
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
39624
Infineon Technologies
WDSON-2-3
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

BSF035NE2LQXUMA1
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
9800
Infineon Technologies
MG-WDSON-2，CanPAK M?
19+
-
代理直銷！進口原裝正品！

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BSF035NE2LQXUMA1 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

BSF035NE2LQXUMA1 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 25V 22A 2WDSON
制造商
infineon technologies
系列
OptiMOS??
包裝
帶卷（TR）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
25V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
22A（Ta），69A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
3.5 毫歐 @ 30A， 10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
25nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1862pF @ 12V
功率 - 最大值
2.2W
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
3-WDSON
供應商器件封裝
MG-WDSON-2，CanPAK M?
標準包裝
5,000

BSF035NE2LQXUMA1 技術參數

BSF030NE2LQXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售 FET 類型:N 溝道技術:MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），75A（Tc）驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）:23nC @ 10V Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）:1700pF @ 12V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta），28W（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 30A，10V 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 封裝/外殼:3-WDSON 標準包裝:1 BSF030NE2LQ 功能描述:MOSFET N-CH 25V 24A WDSON-2 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:25V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:24A（Ta），75A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 30A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:23nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 12V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSF024N03LT3GXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 106A 2WDSON 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Ta），106A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 20A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:71nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:5500pF @ 15V 功率 - 最大值:2.2W 工作溫度:-40°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:3-WDSON 供應商器件封裝:MG-WDSON-2，CanPAK M? 標準包裝:1 BSF 功能描述:9V FEMALE SNAP 6-SIDED 制造商:mpd (memory protection devices) 系列:- 零件狀態:有效電池類型，功能:9V，卡入式觸點（單）樣式:觸點，卡入式（正極）電池尺寸:9V 電池數:- 電池系列:- 安裝類型:自定義端子類型:- 板上高度:- 工作溫度:- 標準包裝:1,000 BSE-120-01-L-D-LC 功能描述:.8MM DOUBLE ROW SOCKET ASSEMBLY 制造商:samtec inc. 系列:BSE 包裝:托盤零件狀態:在售連接器類型:插座，中央帶觸點針腳數:240 間距:0.031"（0.80mm）排數:2 安裝類型:表面貼裝特性:板鎖觸頭鍍層:金觸頭鍍層厚度:10μin（0.25μm）接合堆疊高度:5mm，8mm 板上高度:0.128"（3.25mm）標準包裝:500 BSG0810NDIATMA1 BSG0811NDATMA1 BSG0813NDIATMA1 BSH-020-01-C-D-A BSH-020-01-F-D BSH-020-01-F-D-A BSH-020-01-F-D-A-TR BSH-020-01-F-D-DP-A BSH-020-01-F-D-LC-TR BSH-020-01-H-D-A BSH-020-01-H-D-A-TR BSH-020-01-H-D-LC-TR BSH-020-01-L-D-A BSH-020-01-L-D-A-TR BSH-020-01-L-D-DP-A BSH-020-01-L-D-DP-A-TR BSH-020-01-L-D-EM2 BSH-030-01-C-D