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BSO110N03MSGXUMA1

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  • BSO110N03MSGXUMA1
    BSO110N03MSGXUMA1

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  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 865000

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  • BSO110N03MSGXUMA1
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  • 深圳市億聯芯電子科技有限公司
    深圳市億聯芯電子科技有限公司

    聯系人:吳經理

    電話:18138401919

    地址:深圳市福田區賽格科技園四棟中6樓6K31

  • 69880

  • TY/臺灣半導體

  • SOP8

  • 2021+

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  • ★★正規渠道★原廠正品最新貨源現貨供應★...

  • BSO110N03MSGXUMA1
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  • 天陽誠業科貿有限公司
    天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • BSO110N03MSGXUMA1
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  • 北京天陽誠業科貿有限公司
    北京天陽誠業科貿有限公司

    聯系人:洪先生

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503

    資質:營業執照

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  • 場效應管

  • BSO110N03MSGXUMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

    聯系人:洪寶宇

    電話:17862669251

    地址:北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505(京北通宇)

    資質:營業執照

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  • BSO110N03MSGXUMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
    深圳市德力誠信科技有限公司

    聯系人:王小姐

    電話:13969210552

    地址:上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室

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  • 現貨常備京北通宇商城可查價格

  • BSO110N03MSGXUMA1
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  • 北京京北通宇電子元件有限公司
    北京京北通宇電子元件有限公司

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    電話:18724450645

    地址:中國上海

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  • BSO110N03MSGXUMA1
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  • 深圳市德力誠信科技有限公司
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    聯系人:王小姐

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    地址:深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室

    資質:營業執照

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  • INFINEON

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  • 優勢庫存,原裝正品

  • BSO110N03MSGXUMA1
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  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:周小姐/高先生

    電話:1376027201718520805148

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 2674

  • Infineon Technologies

  • SO-8

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  • BSO110N03MSGXUMA1
    BSO110N03MSGXUMA1

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  • 深圳市眾芯微電子有限公司
    深圳市眾芯微電子有限公司

    聯系人:陳小姐

    電話:0755-8320801015711992892

    地址:都會軒3607

    資質:營業執照

  • 9800

  • Infineon Technologies

  • PG-DSO-8

  • 19+

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  • BSO110N03MSGXUMA1
    BSO110N03MSGXUMA1

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  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 5000

  • INFINEON

  • 1521+

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  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共9條 
  • 1
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  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin DSO T/R
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • N-KANAL POWER MOS - Cut TR (SOS)
  • 制造商
  • Infineon Technologies AG
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 30V 10A DSO-8
BSO110N03MSGXUMA1 技術參數
  • BSO104N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.7 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):16nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2130pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO094N03S 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):10A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):9.1 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 30μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2300pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:2,500 BSO083N03MSGXUMA1 功能描述:MOSFET N-CH 30V 11A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8.3 毫歐 @ 14A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):27nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):2100pF @ 15V 功率 - 最大值:1.56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO080P03SNTMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平門 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12.6A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 14.9A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):136nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5890pF @ 25V 功率 - 最大值:1.79W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商器件封裝:PG-DSO-8 標準包裝:1 BSO080P03SHXUMA1 功能描述:MOSFET P-CH 30V 12.6A 8DSO 制造商:infineon technologies 系列:OptiMOS?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:在售 FET 類型:P 溝道 技術:MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):12.6A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):136nC @ 10V Vgs(最大值):±25V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):5890pF @ 25V FET 功能:- 功率耗散(最大值):1.79W(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 14.9A,10V 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 供應商器件封裝:P-DSO-8 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 標準包裝:1 BSO200N03S BSO200P03SHXUMA1 BSO200P03SNTMA1 BSO201SP H BSO201SPHXUMA1 BSO201SPNTMA1 BSO203PHXUMA1 BSO203PNTMA1 BSO203SP H BSO203SPHXUMA1 BSO203SPNTMA1 BSO204PNTMA1 BSO207PHXUMA1 BSO207PNTMA1 BSO211PHXUMA1 BSO211PNTMA1 BSO215C BSO220N03MD G
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